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Outstanding Performance

光可変減衰器

光可変減衰器 製品ラインアップ

Model No. Features
COVA-1 小型電動可変アッテネータ(MEMS駆動)
MOVA-1 電動可変アッテネータ(MEMS駆動)
MOVA-H 低電圧 可変アッテネータ(MEMS駆動)
PM-MOVA PMF-電動可変アッテネータ(MEMS駆動)

小型電動可変アッテネータ(MEMS駆動)

COVA-1

COVA-1

 

COVA-1は、高速大容量光トランシーバ向けに開発した超小型サイズの光アッテネータ部品です。 当社従来製品のMOVAーHで培った優れた生産技術を導入し、テレコム品質を維持したまま当社従来製品に比べて体積比で83%減を実現し、CFP, CFP2, CFP8に代表されるsmall form factor標準規格に適合する光トランシーバに最適な仕様規格を実現しました。

【特性】
  • 超小型パッケージサイズ
  • 最小ファイバ曲げ半径:5 mm
  • 低損失、低波長依存性、低偏波依存性
  • 低消費電力
  • ブライトタイプ/ダークタイプ 選択可能
  • 10億回以上の耐久性
  • 優れた耐振動・衝撃特性
  • Telcordia GR-1221準拠
  • RoHS対応

電動可変アッテネータ(MEMS駆動)

MOVA-1

MOVA-1
Cotrol Voltage [V]

 

MOVA (MEMS Optical Variable Attenuator) シリーズは、PDLや波長依存性の少なさなど光ファイバ通信で必要とされる各種仕様について優れた特性を持つ可変アッテネータです。多くのシミュレーションと実験により完成された内部ミラー設計やレーザー溶接によるパッケージングが採用されており、Telcordia要求仕様を満たす信頼性の優れた製品です。
本製品に使用しておりますMEMSデバイスは、シリコンウエハ上に形成したミラーの両端を梁で支持する構造です。制御電圧による静電気力でミラーを傾けることで、出力ファイバへ結合する光量を変えます。シリコンMEMSデバイスは、電圧変動の繰り返しや、大きな環境温度変化、機械的な衝撃に対して耐久性の高いデバイスです。 信頼性に優れた光学系パッケージングとの組み合わせにより長期にわたって安定した動作が得られます。

【特性】
  • 低損失、低偏波依存性、低波長依存性
  • 低消費電力
  • ブライトタイプ / ダークタイプ 選択可能
  • 10億回以上の耐久性
  • Telcordia GR-1221信頼性準拠
  • RoHS対応
  • 低コスト

 

波長依存特性(typical)
Wavelength [nm] / Wavelength [nm]

MOVAseries (English)

低電圧 可変アッテネータ(MEMS駆動)

MOVA-H

MOVA-H

 

MOVA-Hは、6Vの低電圧駆動かつ消費電力が少なく応答速度が速いという優れた特性を持つ可変アッテネータです。多くのシミュレーションと実験をもとに設計された内部ミラーやレーザー溶接による組み立てが採用されており、Telcordia要求仕様を満たす信頼性の優れた製品です。
本製品に使用しておりますMEMSデバイスは、シリコンウエハ上に形成したミラーの両端を梁で支持する構造です。制御電圧による静電気力でミラーを傾けることで、出力ファイバへ結合する光量を変えます。シリコンMEMSデバイスは、電圧変動の繰り返しや、大きな環境温度変化、機械的な衝撃に対して耐久性の高いデバイスです。信頼性に優れた光学系パッケージングとの組み合わせにより長期にわたって安定した動作が得られます。

【特性】
  • 低損失、低偏波依存性、低波長依存性
  • 低電圧駆動(< 6 V DC)
  • 高速応答(< 2 ms)
  • 低消費電力
  • ブライトタイプ / ダークタイプ 選択可能
  • 10億回以上の耐久性
  • 優れた耐振動・衝撃特性
  • Telcordia GR-1221信頼性準拠
  • RoHS対応

PMF-電動可変アッテネータ(MEMS駆動)

PM-MOVA

PM-MOVA
Control Voltage

 

PMF-MOVA(MEMS Optical Variable Attenuator)は、入出力にPMF(Polarization Maintaining Fiber : 偏波保存ファイバ)を使った可変アッテネータです。低損失、低偏波依存性、高消光比などの優れた特性を持っています。多くのシミュレーションと実験をもとに設計された内部ミラー、PMFの偏波軸の精密なアライメント、レーザー溶接による組み立てが採用されており、Telcordia要求仕様を満たす信頼性の優れた製品です。
本製品に使用しておりますMEMSデバイスは、シリコンウエハ上に形成したミラーの両端を梁で支持する構造です。制御電圧による静電気力でミラーを傾けることで、出力ファイバへ結合する光量を変えます。シリコンMEMSデバイスは、電圧変動の繰り返しや、大きな環境温度変化、機械的な衝撃に対して耐久性の高いデバイスです。 信頼性に優れた光学系パッケージングとの組み合わせにより長期にわたって安定した動作が得られます。

【特性】
  • 低損失、低波長依存性
  • 消光比>15 dB
  • 低消費電力
  • ブライトタイプ / ダークタイプ 選択可能
  • 10億回以上の耐久性
  • 優れた耐振動・衝撃特性
  • Telcordia GR-1221信頼性準拠
  • RoHS対応

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